西安智盈電氣科技有限公司

碳化硅雪崩測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介n雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額

2024-12-20 100000/元

8KV交流阻斷耐久性測(cè)試儀

一、測(cè)試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測(cè)試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動(dòng)調(diào)壓試驗(yàn)。對(duì)試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時(shí)間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個(gè)工位為一組控制

2024-12-20 10000/元

10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備 半導(dǎo)

10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

2024-12-20 100000/臺(tái)

DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)

2024-12-20 100000/臺(tái)

DBC-029D 功率器件阻斷特性

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體阻斷特性測(cè)試臺(tái)主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對(duì)應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM），反向重復(fù)峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件：序號(hào)

2024-12-20 100000/臺(tái)

功率器件圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線自動(dòng)生成，也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過USB或者RS232與電

2024-12-20 100000/臺(tái)

晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測(cè)試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

2024-12-20 100000/臺(tái)

半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試

2024-12-20 100000/臺(tái)

IGBT 便攜式測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件，已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè)，一臺(tái)輕巧便攜的測(cè)試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面

2024-12-20 100000/臺(tái)

晶閘管 門極/阻斷特性測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：晶閘管門極/阻斷特性測(cè)試儀是可用于測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以及其它半導(dǎo)體器件的相關(guān)參數(shù)測(cè)試的專業(yè)設(shè)備。它的測(cè)試方法符合GB/JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)。該測(cè)試臺(tái)具有漏電流自動(dòng)保護(hù)功能，過電壓

2024-12-20 100000/臺(tái)

ZY-200 雪崩能量 測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測(cè)試方法符合

2024-12-20 100000/臺(tái)

半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試設(shè)備

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試

2024-12-20 100000/臺(tái)

晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測(cè)試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

2024-12-20 100000/臺(tái)

可控硅高溫阻斷耐久性試驗(yàn)臺(tái)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門極電阻

2024-12-20 100000/臺(tái)

整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)

一、測(cè)試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測(cè)試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動(dòng)調(diào)壓試驗(yàn)。對(duì)試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時(shí)間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個(gè)工位為一組控制

2024-12-20 100000/臺(tái)