功率器件圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：

ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線(xiàn)自動(dòng)生成，也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線(xiàn)都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線(xiàn)故障判斷，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過(guò)USB或者RS232與電腦連接，以及人機(jī)界面操作，即可完成測(cè)試，并實(shí)現(xiàn)結(jié)果以Excel和Date的格式保存。

 

曲線(xiàn)測(cè)試： 參數(shù)條件：

01	二極管  /  DIODE
02	晶體管  /  NPN型/PNP型
03	J型場(chǎng)效應(yīng)管  /  J-FET
04	MOS場(chǎng)效應(yīng)管  /  MOS-FET
05	雙向可控硅  /  TRIAC
06	可控硅  /  SCR
07	絕緣柵雙極性晶體管  /  IGBT
08	硅觸發(fā)可控硅  /  STS
09	達(dá)林頓陣列  /  DARLNTON
10	光電耦合  /  OPTO-COUPLER
11	繼電器  /  RELAY
12	穩(wěn)壓、齊納二極管  /  ZENER
13	三端穩(wěn)壓器  /  REGULATOR
14	光電開(kāi)關(guān)  /  OPTO-SWITCH
……	其它器件共19大類(lèi)27分類(lèi)

ID vs. VDS at range of VGS

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS

IDSS vs. VDS / HFE vs. IC

BVCE（O，S，R，V）vs. IC

BVEBO vs. IE

BVCBO vs. IC

VCE（SAT）vs. IC

VBE（SAT）vs. IC

VBE（ON）vs. IC （use VBE test）

VCE（SAT）vs. IB at a range of ICVF vs. IF

 

 

 

 

匹配規(guī)格：

主極電壓	1mV-2000V
電壓分辨率	1mV
主極電流	0.1nA-100A
電流分辨率	0.1nA
測(cè)試精度	0.2% 2LSB
測(cè)試速度	0.5mS/參數(shù)

 

 

 

 

 

測(cè)試參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、 ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、

 ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、

 IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、

 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD 、VD-、

 BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、

 VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、

 VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)

 Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator) 

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH 、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL 、IL

增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS

混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulatio

間接參數(shù)：IL