功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試設(shè)備
主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。
本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術(shù)要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗方法及檢驗規(guī)則等。
本技術(shù)規(guī)范并未對一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定,所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。
GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分:晶閘管
JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法
JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法
以及國標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾,則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。
功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試設(shè)備
2. 技術(shù)要求
序號 |
項目 |
參數(shù) |
備注 |
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1 |
常規(guī)開通 |
通態(tài)電流 |
范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào); |
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主電容電壓 |
范圍:300-7000V,連續(xù)可調(diào); |
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較好導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍 |
10μs-5ms |
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上升時間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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||
開通反饋延遲時間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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||
開通延遲時間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
|
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開通能量測量范圍 |
0.01-200J±3%±0.1J |
|
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開通di/dt測量范圍 |
10-5000A/μs±3%±10A/μs |
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2 |
常規(guī)關(guān)斷 |
較好關(guān)斷電流 |
范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào); |
|
關(guān)斷反饋延遲時間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
|
||
關(guān)斷延遲時間測量范圍 |
0.01-40μs±3%±0.05μs |
|
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關(guān)斷能量測量范圍 |
0.01-1000J±3%±0.1J |
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斷態(tài)電壓上升率測量范圍 |
10-5000V/μs±3%±10V/μs |
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斷態(tài)電流下降率測量范圍 |
10-10000A/μs±3%±10A/μs |
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*主回路寄生電感 |
≤300nH |
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3 |
極限關(guān)斷 |
較好關(guān)斷電流 |
范圍:<20000A; |
設(shè)備能力 |
4 |
數(shù)據(jù)采集和處理單元 |
示波器 |
帶寬不低于500MHz,采樣率不低于6.5Gs/s |
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試品控制方式 |
光纖控制 |
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2.1. 自動恒溫壓力夾具
序號 |
項目 |
參數(shù) |
備注 |
1 |
工作方式 |
自動,氣動 |
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2 |
壓力范圍 |
10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。 |
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3 |
溫度控制范圍 |
70~180℃,分辨率0.1℃;
|
高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫
|
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