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產(chǎn)品描述
功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測試設(shè)備
主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。
本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測試臺(tái)（下面簡稱測試臺(tái)），規(guī)定了測試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。
本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定，所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。
GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分：晶閘管
JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法
JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法
以及國標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾，則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。
功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測試設(shè)備
2. 技術(shù)要求
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序號(hào) |
項(xiàng)目 |
參數(shù) |
備注 |
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1 |
常規(guī)開通 |
通態(tài)電流 |
范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)； |
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主電容電壓 |
范圍：300-7000V，連續(xù)可調(diào)； |
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較好導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍 |
10μs-5ms |
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上升時(shí)間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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開通反饋延遲時(shí)間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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開通延遲時(shí)間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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|
開通能量測量范圍 |
0.01-200J±3%±0.1J |
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開通di/dt測量范圍 |
10-5000A/μs±3%±10A/μs |
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2 |
常規(guī)關(guān)斷 |
較好關(guān)斷電流 |
范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)； |
|
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關(guān)斷反饋延遲時(shí)間測量范圍 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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關(guān)斷延遲時(shí)間測量范圍 |
0.01-40μs±3%±0.05μs |
|
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|
關(guān)斷能量測量范圍 |
0.01-1000J±3%±0.1J |
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|
斷態(tài)電壓上升率測量范圍 |
10-5000V/μs±3%±10V/μs |
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斷態(tài)電流下降率測量范圍 |
10-10000A/μs±3%±10A/μs |
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*主回路寄生電感 |
≤300nH |
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3 |
極限關(guān)斷 |
較好關(guān)斷電流 |
范圍：＜20000A； |
設(shè)備能力 |
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4 |
數(shù)據(jù)采集和處理單元 |
示波器 |
帶寬不低于500MHz，采樣率不低于6.5Gs/s |
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試品控制方式 |
光纖控制 |
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2.1. 自動(dòng)恒溫壓力夾具
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序號(hào) |
項(xiàng)目 |
參數(shù) |
備注 |
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1 |
工作方式 |
自動(dòng)，氣動(dòng) |
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2 |
壓力范圍 |
10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。 |
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3 |
溫度控制范圍 |
70～180℃，分辨率0.1℃；
|
高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫
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