產(chǎn)品描述
可控硅反向恢復(fù)測試設(shè)備1. 總 則
可控硅反向恢復(fù)測試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測試。
本技術(shù)規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導(dǎo)體反向恢復(fù)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的技術(shù)參數(shù)要求，試驗方法、檢驗驗收及包裝運輸要求等。
本技術(shù)規(guī)范并未對一切技術(shù)細節(jié)做出規(guī)定，所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標準和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。
GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分：晶閘管
JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法
JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法
以及國標、IEC、IEEE相關(guān)標準，以上標準均執(zhí)行版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標準之間有矛盾，則應(yīng)滿足較高標準。
可控硅反向恢復(fù)測試設(shè)備
3. 技術(shù)要求
3.1. 測試主機
4.2主回路參數(shù)
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序號 |
項目 |
指標范圍 |
分辨率 |
誤差范圍 |
備注 |
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1 |
直流電源 |
100V~4000V連續(xù) |
10V |
±3%±10V |
DC |
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2 |
支撐電容 |
≥5mF |
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±5%±5uF |
C |
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3 |
Didt調(diào)節(jié)電感 |
0.5uH~1uH~2uH；分3檔手動調(diào)節(jié) |
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±5% |
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4 |
電流采集(I1) |
CWT30B |
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6000A |
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5 |
電壓采集(v /v-) |
TEKP601高等 |
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20KV |
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6 |
過流保護(I2) |
CP9600LF |
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7 |
負載電感 |
分檔：50uH/100uH/200uH/500uH |
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8 |
R/C |
IGCT吸收電阻 |
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9 |
IGCT器件（Q1） |
滿足電壓和電流量程 |
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4.3測試參數(shù)
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序號 |
參數(shù) |
測試范圍 |
精度 |
備注 |
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1 |
-di/dt |
200 ~5000A/us |
±3% |
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2 |
VR |
0-4000V |
±3% |
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3 |
IF |
200-5000A |
±3% |
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4 |
IRR |
0~5000A |
±3% |
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注： 以上參數(shù)能夠同時實現(xiàn)并單獨可調(diào)同時能夠測試反向恢復(fù)電荷Qrr、Qra，反向恢復(fù)電流IRM、反向恢復(fù)時間trr、ta，tb，s（軟度因子），恢復(fù)能量Eoff。
4.4自動恒溫壓力夾具
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序號 |
項目 |
參數(shù) |
備注 |
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1 |
工作方式 |
自動 |
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2 |
壓力范圍 |
10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5% |
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3 |
溫度控制范圍 |
70～180℃，分辨率0.1℃ |
高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫 |
5、 檢測參數(shù)
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參數(shù) |
項目 |
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*正向電流 |
范圍：200-5000A，連續(xù)可調(diào)； ±3%±2A； |
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*二極管電壓 |
范圍：300-4000V，連續(xù)可調(diào)； ±3%±2V； |
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反向恢復(fù)電流測量范圍 |
范圍：200-5000A，連續(xù)可調(diào)； ±3%±10A |
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|
反向恢復(fù)電荷測量范圍 |
200-35000μC±3%±10μC |
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|
反向恢復(fù)時間測量范圍 |
0.01-40μs±3%±0.05μs |
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反向恢復(fù)能量測量范圍 |
0.1-1000J±3%±0.1J |
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*可選電感 |
0.2、0.5、1、2、3μH可選 |
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電流變化率 |
500A/μs-2500A/μs 可調(diào) |
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簡單描述設(shè)備功能，并介紹技術(shù)規(guī)格書的定義內(nèi)容
梳理本技術(shù)規(guī)格書引用到的標準
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其他供應(yīng)
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