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功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)

價(jià)格

100000 元/臺(tái)

單價(jià)：電議

最小起訂量： 1臺(tái)

所在地：陜西西安

供貨總量： 10臺(tái)

發(fā)布時(shí)間：2024-12-20

聯(lián)系方式

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。

本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測試臺(tái)（下面簡稱測試臺(tái)），規(guī)定了測試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。

本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定，所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。

1. 引用標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件第6部分：晶閘管

JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法

JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法

以及國標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行zuixin版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾，則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。

2. 技術(shù)要求

序號(hào)	項(xiàng)目		參數(shù)	備注
1	常規(guī)開通	通態(tài)電流	范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)；
		主電容電壓	范圍：300-7000V，連續(xù)可調(diào)；
		zui大導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍	10μs-5ms
		上升時(shí)間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
		開通反饋延遲時(shí)間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
		開通延遲時(shí)間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
		開通能量測量范圍	0.01-200J±3%±0.1J
		開通di/dt測量范圍	10-5000A/μs±3%±10A/μs
2	常規(guī)關(guān)斷	zui大關(guān)斷電流	范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)；
		關(guān)斷反饋延遲時(shí)間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
		關(guān)斷延遲時(shí)間測量范圍	0.01-40μs±3%±0.05μs
		關(guān)斷能量測量范圍	0.01-1000J±3%±0.1J
		斷態(tài)電壓上升率測量范圍	10-5000V/μs±3%±10V/μs
		斷態(tài)電流下降率測量范圍	10-10000A/μs±3%±10A/μs
		*主回路寄生電感	≤300nH
3	極限關(guān)斷	zui大關(guān)斷電流	范圍：＜20000A；	設(shè)備能力
4	數(shù)據(jù)采集和處理單元	示波器	帶寬不低于500MHz，采樣率不低于6.5Gs/s
4	數(shù)據(jù)采集和處理單元	試品控制方式	光纖控制

2.1. 自動(dòng)恒溫壓力夾具

序號(hào)	項(xiàng)目	參數(shù)	備注
1	工作方式	自動(dòng)，氣動(dòng)
2	壓力范圍	10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。
3	溫度控制范圍	70～180℃，分辨率0.1℃；	高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫