半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：

設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

 

基礎(chǔ)配置：

技術(shù)參數(shù)	ENJ2005-A型	ENJ2005-B型
主極電壓	10mV-2000V	10mV-2000V
主極電流	100nA-50A	100nA-50A
擴(kuò)展電流	100A、200A、400A、500A	250A、500A、750A、1000A、1250A
電壓分辨率	1mV	1mV
電流分辨率	100nA	10nA(可擴(kuò)展至10pA)
測(cè)試精度	0.5% 2LSB	0.2% 2LSB
測(cè)試速度	0.5mS/參數(shù)Parameter	0.5mS/參數(shù)Parameter

 

測(cè)試范圍：

√	√	測(cè)試器件
√	√	二極管  /  DIODE
√	√	絕緣柵雙極大功率晶體管  /  IGBT
√	√	晶體管  /  NPN型/PNP型
√	√	MOS場(chǎng)效應(yīng)管  /  MOS-FET
√	√	J型場(chǎng)效應(yīng)管  /  J-FET
√	√	可控硅  /  SCR
√	√	雙向可控硅  /  TRIAC
√	√	達(dá)林頓列陣  /  DRALINTON
√	√	光電耦合  /  OPTO-COUPLER
√	√	穩(wěn)壓、齊納二極管  /  ZENER
√	√	三端穩(wěn)壓器  /  REGULATOR
√	√	雙向觸發(fā)二極管  /  DIAC
	√	硅觸發(fā)可控硅  /  STS
	√	光電開關(guān)  /  OPTO-SWITCH
	√	光電邏輯  /  OPTO-LOGIC
	√	金屬氧化物壓變電阻  /  MOV
	√	固態(tài)過壓保護(hù)器  /  SSOVP
	√	壓變電阻  /  VARISTOR
	√	繼電器  /  RELAY

 

測(cè)試參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM  VBB、BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合參數(shù)：Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH 、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL 、IL-