DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合測試設(shè)備

門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT

陽極電壓：12V

陽極串聯(lián)電阻：6Ω

門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V ±3%±10mV

門極觸發(fā)電流：2～450mA ±3%±1 mA

維持電流測試單元IH

陽極電壓：12V

預(yù)導(dǎo)通電流：＞10A,正弦衰減波

維持電流： 2～450mA  ±5%±1 mA

測試頻率：單次

通態(tài)壓降測試單元VTM

平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%

模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%

電流上升沿時間：≥5ms

通態(tài)壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%

測試頻率：單次

斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID

反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

阻斷電壓：0.20～6.00kV, 分辨率：0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV

正反向自動測試

正/反向漏電流：0.2～100 mA, 分辨率：0.1 mA, 精度±5%±1 mA

輸出保護電壓和電流可計算機設(shè)定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所  設(shè)定的范圍則自動保護，測試頻率： 50HZ

斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt

電壓：1200V,1600V,2000V三檔， 1V，±5%

電壓過沖范圍：＜50V±10%

DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs，1200V/μs±10%

阻斷參數(shù)測試單元

測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。

擎住電流IL

100-1800mA

平板夾具壓力范圍

6-60KN，氣動加壓方式

門極電阻

適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試

計算機控制系統(tǒng)

設(shè)備的所有工作程序，工作時序，開關(guān)的動作狀態(tài)，數(shù)據(jù)的采集等均由計算機完成。工業(yè)控制機，具有抗電磁干擾能力強，排風(fēng)量大等特點。