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碳化硅雪崩測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介n雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額

2024-12-20 100000/元

可控硅靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)

2024-12-20 100000/元

8KV交流阻斷耐久性測(cè)試儀

一、測(cè)試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測(cè)試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動(dòng)調(diào)壓試驗(yàn)。對(duì)試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時(shí)間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個(gè)工位為一組控制

2024-12-20 10000/元

高集成化電力半導(dǎo)體全動(dòng)態(tài)測(cè)

一.功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動(dòng)態(tài)測(cè)試法是對(duì)元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測(cè)試，已被國(guó)

2024-12-20 50000/臺(tái)

晶閘管高溫反偏測(cè)試儀

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中的測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印1

2024-12-20 100000/臺(tái)

整流橋 晶閘管模塊可靠性測(cè)

一、測(cè)試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測(cè)試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。***設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動(dòng)調(diào)壓試驗(yàn)。對(duì)試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時(shí)間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個(gè)工位為一組控制，

2024-12-20 100000/臺(tái)

功率器件雪崩能量測(cè)試儀

雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，

2024-12-20 100000/臺(tái)

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 地鐵

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)一.功能簡(jiǎn)介IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

2024-12-20 100000/臺(tái)

10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備 半導(dǎo)

10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

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功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并

2024-12-20 100000/臺(tái)

功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備

功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介n雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常

2024-12-20 100000/臺(tái)

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做

2024-12-20 100000/臺(tái)

IGBT測(cè)試系統(tǒng)

IGBT測(cè)試系統(tǒng)核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)主要有：MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off/Qrr

2024-12-20 100000/臺(tái)

浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)

浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)

2024-12-20 100000/臺(tái)

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)主要有：MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off/

2024-12-20 100000/套

可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)

可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備1.總則可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導(dǎo)體反向恢復(fù)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的技術(shù)參數(shù)要求，試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)驗(yàn)收及包裝運(yùn)輸要求等。本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)

2024-12-20 100000/套

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試儀主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定

2024-12-20 100000/套

功率器件換相時(shí)間測(cè)試系統(tǒng)

功率器件換相時(shí)間測(cè)試系統(tǒng)電路換相關(guān)斷時(shí)間定義為外部切換主電路后，通態(tài)電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉(zhuǎn)折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的正值瞬間之間的時(shí)間間隔。其測(cè)試原理是在反向恢復(fù)測(cè)試后施加特定電壓上升率的再加電壓，調(diào)整電壓和電流的間隔時(shí)間找到臨界值，讀出電流下降到零點(diǎn)到電壓上升。功

2024-12-20 100000/套

二極管正向浪涌測(cè)試設(shè)備

二極管正向浪涌測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介二極管正向浪涌測(cè)試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。3

2024-12-20 100000/套

10mS正弦半波浪涌測(cè)試系統(tǒng)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介10mS正弦半波浪涌測(cè)試系統(tǒng)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要

2024-12-20 100000/臺(tái)

10uS-10mS DBC-102 浪涌電

系統(tǒng)概述：浪涌電流測(cè)試儀，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。DBC-102型浪涌電流試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。本系統(tǒng)通過電容放電產(chǎn)生電流波，結(jié)合上位機(jī)測(cè)試軟件

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DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)

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功率器件高反壓 反向恢復(fù) 測(cè)

系統(tǒng)概述：本測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測(cè)試，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。測(cè)試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理計(jì)算后，將測(cè)試數(shù)據(jù)以表格形式顯示并可進(jìn)行編輯和

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功率器件 換向時(shí)間測(cè)試

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體換向時(shí)間測(cè)試臺(tái)，主要由可調(diào)的正向?qū)�通電流、可調(diào)的反向電壓等電路組成，及信號(hào)采集、恒溫壓機(jī)等組成。工作方式為自動(dòng)，氣動(dòng)。操作簡(jiǎn)單，界面友好，且可重復(fù)性好。電路換相關(guān)斷時(shí)間定義為外部切換主電路后，通態(tài)電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉(zhuǎn)折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的

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DBC-029D 功率器件阻斷特性

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體阻斷特性測(cè)試臺(tái)主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對(duì)應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM），反向重復(fù)峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件：序號(hào)

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高溫阻斷 測(cè)試設(shè)備 DBC-249

系統(tǒng)概述：本測(cè)試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。測(cè)試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理計(jì)算后，將測(cè)試數(shù)據(jù)以表格形式顯示并

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功率器件圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線自動(dòng)生成，也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過USB或者RS232與電

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IGBT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：IGBT廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中，其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有極其重要的實(shí)際意義。該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開關(guān)特性及內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而推出的全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。適

2024-12-20 100000/臺(tái)

晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。本設(shè)備符合國(guó)家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測(cè)試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

2024-12-20 100000/臺(tái)

IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概念：IPM（IntelligentPowerModule），即智能功率模塊，是先進(jìn)的混合集成功率器件，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起。而且還內(nèi)部集成有過電壓，過電流和過熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到CPU。該系統(tǒng)在解決了IPM的控制信號(hào)源以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個(gè)關(guān)

2024-12-20 100000/臺(tái)

ZY-200 雪崩能量 測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測(cè)試方法符合

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半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試

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新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線自動(dòng)生成，也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過USB或者RS232與電

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IGBT 便攜式測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件，已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè)，一臺(tái)輕巧便攜的測(cè)試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面

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分立器件 參數(shù)測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：ENJ1502分立器件測(cè)試儀采用上位計(jì)算機(jī)控制，集點(diǎn)測(cè)試和曲線掃描為一體，可實(shí)現(xiàn)點(diǎn)參數(shù)測(cè)試和圖示儀功能。軟件操作界面友好智能，在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試參數(shù)即可完成填表編程，操作人員不需具備專業(yè)計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí)，使用簡(jiǎn)捷方便。操作軟件采用填入式編程方法，專為國(guó)內(nèi)用戶開發(fā)

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晶閘管 門極/阻斷特性測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：晶閘管門極/阻斷特性測(cè)試儀是可用于測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以及其它半導(dǎo)體器件的相關(guān)參數(shù)測(cè)試的專業(yè)設(shè)備。它的測(cè)試方法符合GB/JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)。該測(cè)試臺(tái)具有漏電流自動(dòng)保護(hù)功能，過電壓

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ZY-1500R IGBT 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

系統(tǒng)概述：針對(duì)IGBT的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試系統(tǒng)，功率3500V、1500A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)

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ZY-200 雪崩能量 測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測(cè)試方法符合

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DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)

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自動(dòng)熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應(yīng)

本實(shí)用新型公開了一種自動(dòng)壓力機(jī)夾具,包括水平設(shè)置在壓力機(jī)上的多對(duì)夾臂,在所述每對(duì)夾臂相對(duì)的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當(dāng)夾具夾持耐火磚時(shí)由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對(duì)耐火磚起到一定的保護(hù)作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐

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