主要用于半導體:二較管、整流橋、集成電路、電力電子器件等在氮氣、或氫氮混合氣體的保護下進行焊接、封裝、退火烘干等工藝。主要技術指標:★工作溫度:200℃&mdash1200℃;溫度控制精度:±2℃;總功率:20&mdash100KV.★爐膛寬度尺寸:100mm&mdash80
2016-09-24 電議/臺詳細說明雙工位真空燒結爐主要應用于電力半導體器件燒結焊接等工藝設備參數:★真空室工位數:13位★真空度:1x103Pa,加擴散泵為5x106Pa★工作溫度:1000℃★充氣的較高壓強:0.5Mpa(可控)★不銹鋼內膽:&Phi150&Phi350x1300
2016-09-24 電議/臺三工位真空燒結爐主要應用于電力半導體器件燒結焊接等工藝設備參數:★口徑:&Phi350mm★工作方式:共用一套加熱體,A、B、C管交替工作★工作溫度:3001000℃★恒溫區(qū)1000mm±3℃★冷態(tài)真空度:5&Chi104Pa★真空系統(tǒng):機械泵+K300擴散泵★
2016-09-24 電議/臺