產(chǎn)品描述
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。
設(shè)備介紹： 本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
產(chǎn)品簡介：此款設(shè)備配有Plasma實現(xiàn)等離子增強(qiáng)，滑軌式設(shè)計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置，可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復(fù)性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要組成系統(tǒng)及特點：
本設(shè)備主要由管式加熱爐體，真空系統(tǒng)，質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，射頻等離子源，石英反應(yīng)腔室等部件組成。
主要特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和無定型硅(a-Si:H)等。
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開啟式真空管式爐技術(shù)參數(shù) |
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石英管尺寸 |
L1400mm *（根據(jù)需求選擇不同直徑的石英管作為反應(yīng)室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等規(guī)格可選。） |
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加熱元件 |
摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲 |
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測溫元件 |
K型熱電偶 |
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加熱區(qū)長度 |
400mm |
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恒溫區(qū)長度 |
200mm |
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工作溫度 |
≤1100℃ |
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控溫模式 |
模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶啟動緊急信號功能 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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升溫速率 |
≤20℃/min |
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電功率 |
AC220V/50HZ/3KW |
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質(zhì)量供氣系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)（根據(jù)需求選擇多路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)。有兩路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供選擇。） |
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外形尺寸 |
600x600x600mm |
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標(biāo)準(zhǔn)量程 |
50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； |
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數(shù)顯壓力表測量范圍 |
-0.1Mpa～0.15Mpa |
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較限壓力 |
3MPa |
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針閥 |
316不銹鋼 |
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截止閥 |
Φ6mm 316不銹鋼針閥 |
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電功率 |
AC220V/50HZ/20W |
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響應(yīng)時間 |
氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
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準(zhǔn)確度 |
±1.5% |
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線性 |
±0.5～1.5% |
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重復(fù)精度 |
±0.2% |
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接口 |
Φ6,1/4 |
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真空系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)（根據(jù)需求選擇不同真空效果的真空系統(tǒng)。有DZK10-1（較限真空0.1Pa），GZK10-3（較限真空0.001Pa），以及進(jìn)口高真空機(jī)組（較限真空0.0001Pa）供選擇。） |
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外型尺寸 |
600×600×600mm |
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工作電電壓 |
220V±10% 50~60HZ |
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功率 |
400W |
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抽氣速率 |
4L\s |
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較限真空 |
4X10-2Pa |
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實驗真空度 |
1.0X10-1Pa |
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容油量 |
1.1L |
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進(jìn)氣口口徑 |
KF25 |
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排氣口口徑 |
KF25 |
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轉(zhuǎn)速 |
1450rpm |
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射頻電源（根據(jù)需求選擇強(qiáng)度不同的射頻電源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射頻電源供選擇） |
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信號頻率 |
13.56 MHz±0.005% |
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功率輸出范圍 |
5-300W 5W-500W可選 |
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非常大反射功率 |
200W |
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射頻輸出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率穩(wěn)定度 |
±0.1% |
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諧波分量 |
≤-50dbc |
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供電電壓 |
單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
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整機(jī)效率 |
>=70% |
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功率因素 |
>=90% |
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冷卻方式 |
強(qiáng)制風(fēng)冷 |
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