產品描述
等離子體增強化學氣相沉積法。
設備介紹： 本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
產品簡介：此款設備配有Plasma實現(xiàn)等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要組成系統(tǒng)及特點：
本設備主要由管式加熱爐體，真空系統(tǒng)，質子流量供氣系統(tǒng)，射頻等離子源，石英反應腔室等部件組成。
主要特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和無定型硅(a-Si:H)等。
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