等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。

設(shè)備介紹： 本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：此款設(shè)備配有Plasma實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)，滑軌式設(shè)計(jì)在操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置，可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對(duì)于做低壓CVD非常簡(jiǎn)單實(shí)用，工藝重復(fù)性好，對(duì)于石墨烯生長(zhǎng)工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗(yàn)。

主要組成系統(tǒng)及特點(diǎn)：

本設(shè)備主要由管式加熱爐體，真空系統(tǒng)，質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，射頻等離子源，石英反應(yīng)腔室等部件組成。

主要特點(diǎn)：

    1、通過(guò)射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

    2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。

    3、可以通過(guò)射頻電源的頻率來(lái)控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。

    4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

    5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長(zhǎng)，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和無(wú)定型硅(a-Si:H)等。