等離子體增強化學氣相沉積法。設備介紹:本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PEC
2017-05-02 9988/臺等離子體增強化學氣相沉積法。設備介紹:本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PEC
2017-05-02 6999/臺技術(shù)參數(shù)設備名稱:1200度箱式爐設備型號:BF1200-6/6/6加熱尺寸:深600*寬600*高600mm爐膛容積:216L較高溫度:1200度(1小時)工作溫度:≤1100度(連續(xù))工作電源:三相380V50/60Hz30Kw加溫加熱元件:硅碳
2017-05-02 9999/臺