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DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開(kāi)關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)

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自動(dòng)熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應(yīng)

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種自動(dòng)壓力機(jī)夾具,包括水平設(shè)置在壓力機(jī)上的多對(duì)夾臂,在所述每對(duì)夾臂相對(duì)的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當(dāng)夾具夾持耐火磚時(shí)由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對(duì)耐火磚起到一定的保護(hù)作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐

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IGCT測(cè)試設(shè)備功率器件阻斷特

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體阻斷特性測(cè)試臺(tái)主要完成各類(lèi)功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對(duì)應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM），反向重復(fù)峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件：序號(hào)

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半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試設(shè)備

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試

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功率器件 圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線(xiàn)自動(dòng)生成，也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線(xiàn)都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線(xiàn)故障判斷，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過(guò)USB或者RS232與電

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晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。本設(shè)備符合國(guó)家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測(cè)試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

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半導(dǎo)體器件晶閘管全動(dòng)態(tài)測(cè)試

一.功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動(dòng)態(tài)測(cè)試法是對(duì)元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測(cè)試，

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SCR晶閘管全動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

一.功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動(dòng)態(tài)測(cè)試法是對(duì)元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測(cè)試，

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可控硅高溫阻斷耐久性試驗(yàn)臺(tái)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門(mén)極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)極電阻

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浪涌電流測(cè)試儀 電力電子行

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門(mén)極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)極電阻8)計(jì)算機(jī)

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