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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜

發(fā)布日期：2023-12-14 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 作者：匿名

在常見(jiàn)的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價(jià)鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質(zhì)具有不錯(cuò)的物理和化學(xué)特性, 一直是材料學(xué)研究的熱點(diǎn).  研究發(fā)現(xiàn), 對(duì)成分和結(jié)構(gòu)的調(diào)控可實(shí)現(xiàn)薄膜材料的性能轉(zhuǎn)變, 進(jìn)而獲得能滿足不同性能需求的薄膜.

 

在 對(duì) Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大學(xué)科研課題租采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉積條件及熱處理?xiàng)l件對(duì)其籌備結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響.

 

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

RFICP140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過(guò)控制調(diào)節(jié)鍍膜參數(shù), 得到更加致密, 均勻, 結(jié)合力不錯(cuò)的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學(xué)鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問(wèn)題, 從環(huán)境保護(hù)的角度來(lái)看, 磁控濺射較電鍍化學(xué)鍍更加綠色環(huán)保.

 

該實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目采用 Ti/ B4C 復(fù)合靶作為靶材, 通過(guò)磁控濺射方法沉積了成分、結(jié)構(gòu)可調(diào)的 Ti-B-C薄膜. 在沉積試驗(yàn)之前, 背底氣壓低于510-3Pa, 再采用 Ar 離子濺射清洗30min, 工作氣壓為0.5Pa.

 

利用 X 射線光電子能譜 (XPS) 和 X 射線衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和結(jié)構(gòu), 利用納米壓痕法測(cè)量了 Ti-B-C 薄膜的力學(xué)性能.

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

 

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的帶領(lǐng)者, 已獲得許多****. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口****的****代理商.

 

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