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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 Ir 膜

發(fā)布日期：2023-12-14 來源：網(wǎng)絡(luò) 作者：匿名

銥 (Ir) 是一種很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波長(zhǎng)范圍內(nèi), Ir 膜反射率比此波長(zhǎng)范圍內(nèi)常用材料 Au、Pt 都高, 雖比 Os 膜反射率稍低, 但后者時(shí)效效應(yīng)嚴(yán)重. 相比之下, 空氣中的時(shí)效對(duì) Ir 膜反射率幾乎沒有影響, 考慮綜合性能, Ir 膜在真空紫外波段 50100nm 范圍內(nèi)較佳.

 

安徽某大學(xué)課題租采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 , 在石英、K9 玻璃和 Si 基片上濺射沉積不同厚度的 Ir 膜各種不同厚度的 Ir 膜, 研究基片、表面厚度、離子束能量對(duì) Ir 膜反射率的影響.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

試驗(yàn)中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 Ir 膜, 沉積過程中通過調(diào)節(jié)參數(shù), 沉積時(shí)間等從而得到不同厚度的 Ir 薄膜材料, 滿足各種試驗(yàn)需求.

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

 

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口****的****代理商.

 

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