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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 ZrAlN 薄膜

發(fā)布日期：2023-12-14 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 作者：匿名

合金化是提高過(guò)渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。

 

北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌  ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

試驗(yàn)中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 ZrAlN 薄膜, 更好的對(duì) ZrAlN 薄膜進(jìn)行研究.

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

 

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口****的****代理商.

 

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