產(chǎn)品描述
因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。
KRI 霍爾離子源 eH 200
上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸較小, 低成本設(shè)計(jì)離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡(jiǎn)單是理想的生產(chǎn)工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200 技術(shù)參數(shù)：
|
型號(hào) |
eH 200 |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
|
- 電壓 |
40-300V VDC |
|
- 離子源直徑 |
~ 2 cm |
|
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
|
電源控制 |
eHx-300高等 |
|
配置 |
- |
|
- 陰極中和器 |
Filament or Hollow Cathode |
|
- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 陽(yáng)極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
|
- 水冷 |
無(wú) |
|
- 底座 |
移動(dòng)或快接法蘭 |
|
- 高度 |
2.0 |
|
- 直徑 |
2.5 |
|
-加工材料 |
金屬 |
|
-工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安裝距離 |
6-24” |
|
- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
- 可選: 可調(diào)角度的支架; Filamentless; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
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