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產(chǎn)品描述

因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。

KRI 霍爾離子源 eH 1000
上海伯東代理國外進口進口 KRI 霍爾離子源 eH 1000 **氣體利用, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系前體

KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 較大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 非常高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷
• **的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):

型號	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0
- 直徑	5.7
- 加工材料	金屬電介質(zhì) 半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	10-36”
- 自動控制	控制4種氣體

可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 1000 應用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清洗 Load lock preclean
• 預清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

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