40岁成熟女人牲交片,看全色黄大色黄女片18

產(chǎn)品描述

因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。

美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理國外進口進口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 高等
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 較大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 非常高真空系統(tǒng)
• **的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號	eH 400 / eH 400 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300 V VDC
- 離子源直徑	~ 4 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-300高等
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	3.0
- 直徑	3.7
- 加工材料	金屬電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	6-30”
- 自動控制	控制4種氣體

可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項****. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐寶島伯東: 王小姐
T: 86-21-5046-3511 ext 108 T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1322 F: 886-3-567-0049
M: 86 ***請點擊商鋪導(dǎo)航聯(lián)系我們*** ( 微信同號 ) M: 886-939-653-958
qq: 2821409400

現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東葉小姐 1***請點擊商鋪導(dǎo)航聯(lián)系我們***
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！