KRI 霍爾離子源 eH 400

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美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 高等
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時, 較大限度地減少停機(jī)時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 非常高真空系統(tǒng)
• **的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

• 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
  
  KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
  • 離子輔助鍍膜 IAD
  • 預(yù)清潔 Load lock preclean
  • In-situ preclean
  • Low-energy etching
  • III-V Semiconductors
  • Polymer Substrates
  
  1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項****. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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