LPCVD

所屬行業(yè)： 半導體工藝設備
產(chǎn)品內容： 產(chǎn)品應用：用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生長工藝及其摻雜如psg或bpsg等

產(chǎn)品特點：
◆主機為水平三管爐系統(tǒng)構架，獨立完成不同的工藝或相同工藝
◆工業(yè)計算機控制系統(tǒng)，對爐溫、進退舟、氣體流量、閘門等動作進行自動控制
◆采用懸臂送片器，操作方便、無摩擦污染等
◆關鍵部件均采用進口，確保設備的高可靠性
◆工藝管路采用進口閥門管件組成-氣密性好、耐腐蝕、無污染（管路均采用ep級電拋光管），流量控制采用進口質量流量計（mfc）
◆工作壓力閉環(huán)自動控制，提高工藝穩(wěn)定性和可靠性
◆控溫精度高，溫區(qū)控溫穩(wěn)定性好
◆具有斷電報警、超溫報警、極限超溫報警等多種安全保護功能
◆高質量的加熱爐體，確保恒溫區(qū)的高穩(wěn)定性及長壽命

主要技術指標
◆工作溫度：300～1000℃
◆適應硅片尺寸：2～6英寸
◆裝片數(shù)量：30～100片/管
◆工藝管數(shù)量：1～3管（可選擇）
◆恒溫區(qū)長度： 760mm±1℃（熱壁式，可形成溫度梯度）
◆極限真空度： 8.0× 10 -1 pa（約6.0× 10 -3torr）
◆工作真空度： 10 ～ 1000pa可調
◆淀積膜均勻性：片內≤±5%
◆控制系統(tǒng)：整機控制系統(tǒng)采用工業(yè)控制計算機（windows 系統(tǒng)界面，操作方便簡潔）
◆氣源系統(tǒng)：進口閥管件、自動軌道焊接
◆典型工藝（僅供參考）：
①氮化硅淀積：提供典型工藝氣路（具體根據(jù)用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： 3 nh3+4sih4 → si3n4+12h2 ……
②多晶硅淀積：提供典型工藝氣路（具體根據(jù)用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： sih4 → si+2h2 ……
③ 二氧化硅淀積：提供典型工藝氣路（具體根據(jù)用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： si(oc2h5)4 → sio2+ 4c2h4+2h2o （ dcs/n2o 等） ……
psg: teos-o2 體系， + 磷烷（亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷）
bpsg: 在 psg 中加入 b2h6 （硼烷）或硼酸三甲酯
---- 薄膜淀積工藝（相應的摻雜 - 僅供參考，具體根據(jù)客戶的情況作相應的調整