半導(dǎo)體晶片拋光劑

本半導(dǎo)體晶片拋光劑適應(yīng)半導(dǎo)體材料如硅片，鍺單晶片，砷化鎵晶片的表面拋光工藝，具有去除速率高、使用方便、拋光效果好等特點(diǎn)。拋光后晶片表面的粗糙度可以達(dá)到0.2nm以下，同時(shí)可以提高晶片的粗糙度和平行度，拋光后表面不產(chǎn)生劃傷，拋光霧。
1、特點(diǎn)
①高磨料均勻性、高穩(wěn)定性，納米二氧化硅顆粒粒徑均勻，長(zhǎng)時(shí)間放置不變色不分層
②去除速率高：硅片的單位去除速率可以達(dá)到0.8-1.5um/min，提高拋光效率
③使用方便：本拋光液適用于通用的拋光工藝
④拋光效果好：粗糙度可以達(dá)到0.2nm以下，拋光表面無(wú)劃傷和拋光霧
2、使用范圍及參數(shù)
本系列產(chǎn)品適用于直拉、區(qū)熔單晶硅，直徑φ76-150mm的原始硅片、摻雜硅片的單面及雙面拋光；以及其它半導(dǎo)體材料如鍺片，砷化鎵片等拋光工藝（使用np9200添加拋光助劑）；同時(shí)還適用于光學(xué)晶體材料如鈮酸鋰的拋光工藝。
型號(hào)    sio2含量ph    平均粒徑/nm    稀釋倍數(shù)    備注
np9100    30%    11.5-12.5    40-60    15～25    硅片粗拋、背面減薄
np9200    30%    11.5-12.5    60-90    15～25    大粒徑，鍺、砷化鎵
np9000    15%    9.5-10.5    30-50    10-15    硅片二次拋光
3、工藝參數(shù)
①技術(shù)參數(shù)：拋光壓力150～250g/cm2
②拋光溫度：30～45℃
③拋光時(shí)間：15～30min拋光時(shí)間可根據(jù)去除厚度來(lái)進(jìn)行調(diào)整。