產(chǎn)品描述
產(chǎn)品概述：
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高真空PECVD系統(tǒng)主要特點(diǎn)： 1.通過(guò)射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。 2.PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。 3.可以通過(guò)射頻電源的頻率來(lái)控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。 4.PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。 5.廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長(zhǎng)，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無(wú)定型硅(a-Si:H) 等。
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