電解氧化設(shè)備

1.本晶片電解氧化設(shè)備適用于在0.1n koh 乙二醇溶液條件下，用電解方法在半導(dǎo)體晶片表面形成氧化膜;用電解方法剝離半導(dǎo)體晶片表面氧化膜;用電解方法在半導(dǎo)體表面進行刻蝕。

2.箱體采用12㎜厚進口pp板；底部設(shè)不銹鋼調(diào)平支腳及腳輪，便于移動；操作面設(shè)有維修活動門，便于操作；

3.有溫度報警裝置.

4.配置1個工藝槽，1個純水噴洗槽；diw水槍一個.槽體采用10㎜厚進口pp板焊接，槽體無滲漏、變形，底部設(shè)有一排液閥，便于更換溶液.

5.本晶片電解氧化設(shè)備配備可移動陽極導(dǎo)電桿及不銹鋼陽極板及晶片固定夾具。


6、工藝槽配置循環(huán)磁力泵和過濾筒，保證溶液的連續(xù)過濾和消除汽泡，以除去溶液中的各種固體雜質(zhì)和渣滓（濾芯的過濾精度可選）。

7、循環(huán)管路、上水、排液管路均為pp材質(zhì)，管路線端設(shè)總閥控制，整體管線進行固定，布局合理，橫平豎直，設(shè)有操作閥門便于操作。
8.還可用于其它金屬的表面處理.