(1)本產(chǎn)品技術為市場上.新.技術,匯集多名國內(nèi)外 的科研成果,成功的由.初的電子管技術→晶體管MOSFET技術→IGBT模塊技術之間轉(zhuǎn)換升級。所有機型都配有IGBT模塊技術,使產(chǎn)品穩(wěn)定性方面做到更好! 不斷追求,沒有.好,只有更好合學校和研究所小量熔煉使用。
(2) 比可控硅中頻,節(jié)能。
(3) 中頻熔煉有很好的電磁攪拌作用,用利于熔煉金屬溫度及組織的均勻,有利于浮渣,減少雜質(zhì);
(4) 設備體積小,重量輕,熔煉量從幾公斤到幾百公斤,可選擇范圍很大,既適合工廠生產(chǎn)使用。
(5) 頻率范圍寬,從1KHZ到20KHZ,可綜合考慮熔煉量,電磁攪拌作用,加熱效率,工作時的噪音等因素設計感應圈及匹配補償電容,決定輸出頻率的大小
(6) 可用于非真空和真空熔煉爐
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