硅負(fù)較納米硅、氧化亞硅、多孔硅）CVD氣相沉積碳包覆

咸陽陶瓷研究設(shè)計院---科源窯爐

硅負(fù)較納米硅、氧化亞硅、多孔硅CVD氣相沉積碳包覆

產(chǎn)品名稱：硅碳負(fù)較電較材料制備專項使用爐，碳包覆工藝設(shè)備，硅炭負(fù)較燒結(jié)爐
產(chǎn)品用途：硅碳復(fù)合負(fù)較材料制備，化學(xué)氣相沉積碳包覆工藝
產(chǎn)品介紹：
1、科源窯爐硅炭負(fù)較材料專項使用生產(chǎn)爐（KY-R系列）是專業(yè)針對規(guī)�；�制備的專項使用爐。該爐為咸陽科源陶瓷有限公司經(jīng)過多年研發(fā)自主設(shè)計的全氣氛保護(hù)電較材料煅燒爐。屬于一邊進(jìn)料一邊出料的連續(xù)生產(chǎn)爐型。
2、科源碳類材料專項使用爐（KY-R系列）爐型為連續(xù)式氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)爐。通入氣體后，爐內(nèi)氧氣濃度取決于通入氣體的純度。
3、科源規(guī)模化生產(chǎn)回轉(zhuǎn)爐爐管均采用優(yōu)質(zhì)耐熱不銹鋼，也可以采用大型的非金屬管做爐管。
4、耐火材料科源陶瓷有限公司均選用熱穩(wěn)定性好、升溫速率快、節(jié)能、密度低、自身蓄熱很小的真空澆筑成型的纖維制作�？圃刺沾捎邢薰�司選擇的材料帶來比別的窯爐擁有更加節(jié)能的特點。
5、采用高精度的溫控表進(jìn)行控溫。溫度控制采用PID控制方式，具有結(jié)構(gòu)簡單、穩(wěn)定可靠、調(diào)整方便、適用范圍廣等優(yōu)點。可以根據(jù)工藝設(shè)置不同的溫度曲線，不同的升溫時間和保溫時間。
6、可以實現(xiàn)物料在爐內(nèi)運行時間的準(zhǔn)確控制。
7、可以實現(xiàn)各種不同燒結(jié)制度下的煅燒�？梢詽M足物料需要的不同升溫速率以及恒溫時間以及降溫時間。
參數(shù)介紹：
1、使用溫度:0~1300度（非金屬爐管）。
2、升溫速率：根據(jù)工藝進(jìn)行調(diào)整，可以快速升溫。
3、控溫精度：?1℃
4、測溫點：6點到12點。
5、爐管轉(zhuǎn)速：0.2—1rp/min（可根據(jù)實際情況進(jìn)行調(diào)整）。
6、保護(hù)氣體：可以通入水蒸氣，二氧化碳，氮氣，氫氣等氣體。
7、電壓： 380V，50HZ
8、通入保護(hù)氣體后氧氣含量和保護(hù)氣體的純度有關(guān)。
9、日產(chǎn)量根據(jù)工藝從200公斤到10噸不等。