一般規(guī)格圓盤鋁合金犧牲陽(yáng)較

一般規(guī)格圓盤鋁合金犧牲陽(yáng)較

鋁合金犧牲陽(yáng)較的合金化介紹：
合金化是改善純鋁容易鈍化的有效方法，但是合金元素的添加不是任意的，合金元素的選擇原則如下。
（1）鍵參數(shù)函數(shù)原則 盧國(guó)琦、史鵬飛等在大量實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上發(fā)現(xiàn)，改善鋁合金電化學(xué)性能的元素其原子參數(shù)有一定的規(guī)律性。他們利用鍵參數(shù)函數(shù)的研究方法，即利用微觀結(jié)構(gòu)與宏觀性質(zhì)之間的內(nèi)在聯(lián)系倆研究鋁合金，其電負(fù)性的數(shù)值由式（4-1）計(jì)算：
&160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160x0.359z/r 0.744 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 &160 4-1
式中 &160   x-電負(fù)性；
&160 &160 &160 &160 &160 &160 z-原子有效核電荷數(shù)；
&160 &160 &160 &160 &160 &160 r-共價(jià)半徑。
&160 &160 &160 &160 &160 &160 他們認(rèn)為在由式（4-1）所作的直線上或靠近直線的元素都有可能改善鋁合金的電化學(xué)性能。用鍵參數(shù)函數(shù)原則方法可以在一定程度上幫助選擇出能提高鋁陽(yáng)較電化學(xué)性能的元素。

一般規(guī)格圓盤鋁合金犧牲陽(yáng)較

2低共熔體原則 為了提高金屬鋁的電化學(xué)活性，必須減緩或舒緩率本身容易生 成鈍化膜的特性，在合金工作過程中需要持續(xù)不斷地破壞鋁生成的鈍化膜，從而使合金放電持續(xù)下去�；�于此種觀點(diǎn)，劉仁培等人提出低共熔體研究方法：在合金中加入兩種以上合金元素形成低共熔化合物，在液態(tài)時(shí)它們與鋁完全互溶，固化時(shí)形成低共熔體，其共熔點(diǎn)很低。在合金工作溫度下（20-100攝氏度）處于熔融狀態(tài)，使鋁合金表面生成的鈍化膜呈現(xiàn)不連續(xù)狀，并在鈍化膜與基體之間熔化或部分熔化，從而破壞膜與基體的附著結(jié)構(gòu)，同時(shí)也增加溶液介質(zhì)與鋁基體的接觸面積，提高鋁合金活性。低共熔體原則能解釋Hg、Ga等低熔點(diǎn)合金元素對(duì)鋁的活化作用。

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鋁合金犧牲陽(yáng)較的介紹：
較高的電化學(xué)性能、單位重量的陽(yáng)較材料發(fā)電量大，約為鋅陽(yáng)較的3倍，鎂陽(yáng)較的2倍。在海水及含氯離子的其它介質(zhì)中，性能良好，發(fā)出電流的自調(diào)節(jié)能力強(qiáng)。適用于海水介質(zhì)中的船舶、機(jī)械設(shè)備、海洋工程和海港設(shè)施以及海泥中管道、電纜等設(shè)施金屬防腐蝕的陰較保護(hù)。cj2098555