氮化硅陶瓷基板氮化硅陶瓷板

京瓷氮化硅陶瓷基板,氮化硅陶瓷板
α-Si3N4和 β-Si3N4兩種變體其回式衛(wèi)星等領(lǐng)域中得 到了廣泛應(yīng)用[1]近年來,氮化中, α-Si3N4為顆粒狀晶 體, 是低溫穩(wěn)定型; β-Si3N4物陶瓷陶瓷材料因其優(yōu)異的性能 成為國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)為長(zhǎng)柱狀或針狀晶體, 為高溫穩(wěn)定型之一 在 1400~1600℃, α相可轉(zhuǎn)變?yōu)?β相 兩種晶型的基本結(jié)構(gòu)單 氮化物透波陶瓷主要包括AlN、BN和Si3N4等元均為[S i3N4]四面體,Si原子位于四面體的中心,NAlN陶瓷強(qiáng)度 和模量高,抗熱震和耐腐蝕性良好,但原子位于四面體的四個(gè)頂點(diǎn), 然后以每三個(gè)四面體共介電常數(shù)相對(duì)較高; BN陶瓷熱穩(wěn)定性和介電 性能優(yōu)用一個(gè)N原子的形式, 在三維空間形成連續(xù)而又堅(jiān)異, 是為數(shù) 不多的分解溫度能達(dá)到3000℃的化合物固的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)之一, 并且 在很寬的溫度范圍內(nèi)具有較好的熱性能和相對(duì)于其他氮化物透波陶 瓷材料,Si3N4的性能優(yōu)異,但力學(xué)性能較差,且高溫易氧化 Si3N4陶瓷如線脹系數(shù)低, 抗熱震性十分優(yōu)異; 在1300℃下強(qiáng)度在高溫和常溫下都具有良好的力學(xué)性能,同時(shí)還具有較高;介電性能良好,化學(xué)性能穩(wěn)定,舒緩反應(yīng)性能突出,良好的熱穩(wěn)定性、低的介電損耗、高的耐沖蝕性能,是一種綜合性能優(yōu)良的透波陶瓷材料還原氣氛中使用溫度可達(dá)1850℃
陶瓷和金屬或塑料相比陶瓷是堅(jiān)硬的，是一種硬度更高的材料，對(duì)于延性材料，硬度是表示對(duì)塑性變形的一種抵抗能力，由于玻璃或陶瓷類脆性材料的斷裂應(yīng)力低于屈服應(yīng)力，因此，在測(cè)定維氏硬度冰常常在壓浪內(nèi)部產(chǎn)生微小的裂紋在氧化氣氛中可使用到1400℃，在中性或還原氣氛中一直可使用到1850℃
比熱容為0.71J/(g?K)，生成熱為-751.57kJ/mol
相對(duì)分子質(zhì)量140.28，灰色、白色或灰白色
影響氧化鋯陶瓷材料抗熱震性的因素很多,這里 只介紹對(duì)抗熱震性有重要影響的熱膨脹行為和相變特征事實(shí)上,氧化鋯的熱膨脹行為與其相變是密切相關(guān)的,下面提出的對(duì)相變進(jìn)行控制和調(diào)整的目的之一,就是試圖從宏觀上優(yōu)化材料的熱膨脹行為,實(shí)現(xiàn)材料抗熱震性的改善
它較耐高溫，強(qiáng)度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會(huì)熔成融體，一直到1900℃才會(huì)分解
電阻率在1015-1016Ω.cm
在彈性范圍內(nèi)大多數(shù)材料服從虎克定律，即變形與受力成正比縱向應(yīng)力與縱向應(yīng)變的比例常數(shù)就是材料的彈性模量E，也叫楊氏模量關(guān)鍵詞：西安  氮化硅管子，山東氮化硅陶瓷管，鄭州 氮化硅陶瓷，新鄉(xiāng)地區(qū)氮化硅管，深圳氮化硅陶瓷