超純 氮化硅氮化硅陶瓷棒

成都超純 氮化硅,氮化硅陶瓷棒
研究添加成孔劑法制備的有球形宏觀孔的多孔 氮化硅陶瓷在不同孔隙率和孔徑下的介電性能通 過(guò)控制成孔劑苯甲酸的加入量和調(diào)節(jié)成孔劑的粒徑可達(dá)到燒結(jié)體的氣孔率和孔徑可控的目的
硬度9~9.5，努氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa可用作高溫陶瓷原料

灰色、白色或灰白色不同的熱膨脹行為預(yù)示著經(jīng)過(guò)調(diào)整的試樣抗熱震性能要好于未作調(diào)整的試樣抗熱震試驗(yàn)支持了這一推測(cè)采用和試樣Siccas-2同樣工藝條件制備的抗熱震部件通過(guò)了抗熱震模擬試驗(yàn)熱震試驗(yàn)后,部件完好無(wú)裂紋,而未調(diào)整部件出現(xiàn)徑向裂紋或?qū)恿?br/>它較耐高溫，強(qiáng)度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會(huì)熔成融體，一直到1900℃才會(huì)分解
比體積電阻，20℃時(shí)為1.4?105 ?m,500℃時(shí)為4?108 ?m氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列
任何一種材料的能量耗散能力可以很方便地通過(guò)材料的硬度和彈性模量來(lái)評(píng)價(jià)，同時(shí)對(duì)于已知能量耗散能力的材料，彈性模量可以從硬度值估測(cè)因此，在選材或可靠性評(píng)價(jià)方面，很多材料性能，如脆度、局部能量耗散能力、彈性恢復(fù)能力、阻力特性、導(dǎo)波速率等都可以通過(guò)硬度和彈性模量簡(jiǎn)單地估測(cè)和比較這對(duì)于材料設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及材料性能預(yù)測(cè)均具有重要意義
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