干式防滲搗打料（干式防滲混合料）

干式防滲搗打料（干式防滲混合料）：用于鋁電解槽底炭陰較塊和保溫磚之間

  目前,金屬鋁的生產(chǎn)方法主要是冰晶石熔鹽電解法,其主要設(shè)備是鋁電解槽.干式防滲料鋪設(shè)于電解槽底部陰較碳塊的下面，厚度約130～150mm左右、我公司于2003年即開始研制干式防滲料。

    針對干式防滲料的工作環(huán)境研制中我們著重解決以下問題:

       1.如何設(shè)計防滲料的化學(xué)組成,使當(dāng)熔融冰晶石和防滲料接觸后能生成粘度非常大的的礦物，阻止或減緩滲透從而達(dá)到防滲效果。

       2.如何設(shè)計合理的粒度組成，以求得到適當(dāng)密度和較小導(dǎo)熱率的配方，使電解槽在運(yùn)行中減少熱量損失。

       3.針對研制的防滲料,制定出合理的施工筑槽方案，為用戶提供合適的壓縮比，確保施 工厚度盡可能接近所設(shè)計的干式防滲料的施工厚度。

l  電解鋁的冶煉原料是氧化鋁，在冶煉過程中，需要加入冰晶石（Na3AlF6）做為電解質(zhì)，現(xiàn)代鋁業(yè)為了提高各項(xiàng)生產(chǎn)指標(biāo)還采用酸性電解質(zhì)，即在熔融的電解質(zhì)里加入10-15%的過量氟化鋁，使電解質(zhì)體系改變?yōu)楸�晶�?氟化鋁-氧化鋁三元體系。電解鋁的冶煉溫度并不高，只有960℃左右，但由于熔融冰晶石和直流電場的共同作用，會產(chǎn)生Na和NaF蒸汽。若碳質(zhì)陰較炭快內(nèi)部溫度在850℃以下，NaF會在炭塊內(nèi)結(jié)晶使碳塊膨脹而損壞。冰晶石金屬鋁熔體進(jìn)入防滲料層，若防滲料采用Al2O3-SiO2系材料，從Na2O- Al2O3-SiO2三元相圖可知，當(dāng)Al2O3/ SiO2重量比在一定范圍時，會發(fā)生下列反應(yīng)生成霞石或具有霞石組成的化合物。

l   4Na+SiO2→2Na2O+Si

l    Na2O+ Al2O3+ SiO2→Na2O·Al2O3·2SiO2 

l     6NaF+ Al2O3+3 SiO2→Na3AlF6+ 3NaAlSiO4（霞石）

l    Na3AlF6+ Al2O3+ 3 SiO2→2AlF3+3NaAlSiO4（霞石）

l    霞石具有較高的粘度，它能夠堵塞防滲料的氣孔，阻擋或減緩滲透，提高使用壽命。

l    根據(jù)防滲原理，我們選擇鋁硅系材料做了大量工作，并已在貨品鋁廠、宜昌長江鋁業(yè)的電解槽上大批量使用，使用效果良好，現(xiàn)將研制過程介紹如下：

l    電解鋁的冶煉原料是氧化鋁，在冶煉過程中，需要加入冰晶（Na3AlF6）做為電解質(zhì)，現(xiàn)代鋁業(yè)為了提高各項(xiàng)生產(chǎn)指標(biāo)還采用酸性電解質(zhì)，即在熔融的電解質(zhì)里加入10-15%的過量氟化鋁，使電解質(zhì)體系改變?yōu)楸�晶�?氟化鋁-氧化鋁三元體系。電解鋁的冶煉溫度并不高，只有960 ℃左右，但由于熔融冰晶石和直流電場的共同作用，會產(chǎn)生Na和NaF蒸汽。若碳質(zhì)陰較炭快內(nèi)部溫度在850℃以下，NaF會在炭塊內(nèi)結(jié)晶使碳塊膨脹而損壞。冰晶石金屬鋁熔體進(jìn)入防滲料層，若防滲料采用Al2O3-SiO2系材料，從Na2O- Al2O3-SiO2三元相圖可知，當(dāng)Al2O3/ SiO2重量比在一定范圍內(nèi)時，會發(fā)生下列反應(yīng)生成霞石或具有霞石組成的化合物。

l        4Na+SiO2→2Na2O+Si

l        Na2O+ Al2O3+ SiO2→Na2O·Al2O3·2SiO2 

l        6NaF+ Al2O3+3 SiO2→Na3AlF6+ 3NaAlSiO4（霞石）

l        Na3AlF6+ Al2O3+ 3 SiO2→2AlF3+3NaAlSiO4（霞石）

l        霞石具有較高的粘度，它能夠堵塞防滲料的氣孔，阻擋或減緩滲透，提高使用壽命。

l        根據(jù)防滲原理，我們選擇鋁硅系材料做了大量工作，并已在貨品鋁廠、宜昌長江鋁業(yè)的電解槽上大批量使用，使用效果良好。

干式防滲搗打料（干式防滲混合料）：用于鋁電解槽底炭陰較塊和保溫磚之間

 

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AL2O3   ,             %,      ≤		42
AL2O3＋SiO2,    %,      ≥		90
耐 火 度， ℃   (P.C.E)		1683～1785（31～35）
體  積  密  度，    g/㎝3,		1.92～2.02
導(dǎo) 熱 系   數(shù)， W/M·K, ≤	200℃	0.34
	420℃	0.39
	650℃	0.43