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主營(yíng):常規(guī)金屬靶材,陶瓷靶材,合金靶材,非金屬靶材,稀土金屬靶材,化合物鍍膜材料,顆粒,粉末

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鉬(Mo)靶材 磁控濺射靶材 電子束鍍膜蒸發(fā)料

價(jià)格

1000 元/件

  • 單價(jià):電議
  • 最小起訂量: 1
  • 所在地:
  • 供貨總量: 10000
  • 發(fā)布時(shí)間:2021-10-25

聯(lián)系方式

產(chǎn)品描述

鉬(Mo)靶材 磁控濺射靶材 電子束鍍膜蒸發(fā)料 

【參數(shù)說(shuō)明】

支持靶材定制,請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例(重量比或原子比)、規(guī)格,我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)! 

【產(chǎn)品介紹】

鉬為銀白色金屬,鉬原子半徑為0.14nm,原子體積為235.5px/mol,配位數(shù)為8,晶體為Az型體心立方晶系,空間群為Oh(lm3m),至今還沒(méi)發(fā)現(xiàn)它有異構(gòu)轉(zhuǎn)變.常溫下鉬的晶格參數(shù)在0.31467~0.31475nm之間,隨雜質(zhì)含量而變化。鉬熔點(diǎn)很高,在自然界單質(zhì)中名列第六,被稱作難熔金屬,見(jiàn)表2。鉬的密度為10.23g/cm,約為鎢的一半(鎢密度19.36g/cm)。鉬的熱膨脹系數(shù)很低,20~100℃時(shí)為4.9×10/℃;鉬的熱傳導(dǎo)率較高,為142.35w/(m·k) 。鉬電阻率較低:0℃時(shí)為5.17×-10Ω·cm;800℃時(shí)為24.6×-10Ω·cm;2400℃時(shí)為72×-10Ω·cm。鉬屬順磁體,99.99%純度的鉬在25℃時(shí)比磁化系數(shù)為0.93×10cm/g。鉬的比熱在25℃時(shí)為242. 8J/(kg·k)。鉬的硬度較大,摩氏硬度為5~5.5。鉬在沸點(diǎn)的蒸發(fā)熱為594kJ/mol;熔化熱為27.6 ±2.9kJ/mol;在25℃時(shí)的升華熱為659kJ/mol。

中文名

熔點(diǎn)

2622±10℃

化學(xué)式

Mo

沸點(diǎn)

5560℃

分子量

95.94

密度

10.2克/立方厘米

 

【關(guān)于我們】

服務(wù)項(xiàng)目:靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?蒲袉挝回浀礁犊睿|(zhì)量保證,售后無(wú)憂!

產(chǎn)品附件:發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器:多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 

質(zhì)量控制:嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝,采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段,分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度;可提供質(zhì)檢報(bào)告。 

加工流程:熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)

陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差,連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況,綁定背靶后,可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能,提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您,選購(gòu)陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶!

我公司采用高純銦作為焊料,銦焊厚度約為0.2mm,高純無(wú)氧銅作為背靶。

注  :高純銦的熔點(diǎn)約為156℃,靶材工作溫度超過(guò)熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化!綁定背靶不影響靶材的正常使用!

建議:陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材,高功率下濺射易碎,建議濺射功率不超過(guò)3W/cm2。

我公司主營(yíng)金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材,歡迎您的垂詢。

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