氮化硅陶瓷座

氮化溫度高于1400℃時(shí)發(fā)生α/β相變，隨著氮化溫度的提高和時(shí)間的延長，β相的相對含量增 加，氮化硅的微觀形貌也發(fā)生明顯變化，由針狀和 絮狀形貌轉(zhuǎn)變成片狀形貌較后形成長柱狀結(jié)構(gòu) α/β 相變使樣品的相對介電常數(shù)ε′和介電損耗 tan δ都呈現(xiàn)升高的趨勢，其中tanδ的變化更為 明顯相變導(dǎo)致的氮化硅陶瓷中點(diǎn)缺陷濃度增高是 引起材料介電損耗大幅增加的主要原因。以硅粉和氮化硅晶須為原料, 通過添加30% (質(zhì)量分?jǐn)?shù)) 成孔劑球形顆粒，以聚乙烯醇作粘結(jié)劑， 采用干壓成型工藝，反應(yīng)燒結(jié)制備了多孔氮化硅陶 瓷，分析對比了氮化硅晶須對反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔 陶瓷介電性能的影實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，隨著氮化硅晶 須加入量的升高，氮化硅多孔陶瓷的介電常數(shù)和介 電損耗都升高，介電性能惡化。氮化硅晶須的加入對試樣的氣孔率沒有基本上沒有影 響, 試樣的氣孔率都大約在60% 晶須在試樣內(nèi)呈無序分布, 在其表面上有氮化硅絮狀物 生成這些反應(yīng)生成的絮狀物與晶須的結(jié)合界面不緊密, 容易存在微觀缺陷 隨著晶須含量的增加, 試樣的介電常數(shù)與介電損耗都上 升, 且有損耗峰的出現(xiàn), 試樣的介電性能化。

由于結(jié)構(gòu)陶瓷材料脆性較大，準(zhǔn)確加工時(shí)極易產(chǎn)生磨削裂紋，這一點(diǎn)是航空，航天零件禁忌的，如應(yīng)用于航宅發(fā)動機(jī)、航天火箭等高等產(chǎn)品中的結(jié)構(gòu)陶瓷近年來世界各國都競相開發(fā)結(jié)構(gòu)陶瓷材料表面無損傷的**加工新方法實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)陶瓷無損傷加工較有效的技術(shù)是延性域磨削。

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