超純 氮化硅氮化硅陶瓷棒

成都超純 氮化硅,氮化硅陶瓷棒
研究添加成孔劑法制備的有球形宏觀孔的多孔 氮化硅陶瓷在不同孔隙率和孔徑下的介電性能通 過控制成孔劑苯甲酸的加入量和調(diào)節(jié)成孔劑的粒徑可達(dá)到燒結(jié)體的氣孔率和孔徑可控的目的
硬度9~9.5，努氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa可用作高溫陶瓷原料

灰色、白色或灰白色不同的熱膨脹行為預(yù)示著經(jīng)過調(diào)整的試樣抗熱震性能要好于未作調(diào)整的試樣抗熱震試驗(yàn)支持了這一推測(cè)采用和試樣Siccas-2同樣工藝條件制備的抗熱震部件通過了抗熱震模擬試驗(yàn)熱震試驗(yàn)后,部件完好無裂紋,而未調(diào)整部件出現(xiàn)徑向裂紋或?qū)恿?br/>它較耐高溫，強(qiáng)度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會(huì)熔成融體，一直到1900℃才會(huì)分解
比體積電阻，20℃時(shí)為1.4?105 ?m,500℃時(shí)為4?108 ?m氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列
任何一種材料的能量耗散能力可以很方便地通過材料的硬度和彈性模量來評(píng)價(jià)，同時(shí)對(duì)于已知能量耗散能力的材料，彈性模量可以從硬度值估測(cè)因此，在選材或可靠性評(píng)價(jià)方面，很多材料性能，如脆度、局部能量耗散能力、彈性恢復(fù)能力、阻力特性、導(dǎo)波速率等都可以通過硬度和彈性模量簡(jiǎn)單地估測(cè)和比較這對(duì)于材料設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及材料性能預(yù)測(cè)均具有重要意義
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