登封市煜昊高溫元件有限公司

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Dengfeng City Yuhao High-Temperature Component Co., Ltd.
主營:硅碳棒,硅鉬棒,鉬頂頭,鎢鉬制品,硅碳棒加熱元件,硅碳棒規(guī)格

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等直徑碳化硅加熱管型號

價格

76 元/支

  • 單價:電議
  • 最小起訂量: 10
  • 所在地:河南 鄭州
  • 供貨總量: 99999
  • 發(fā)布時間:2021-02-19

聯(lián)系方式

產(chǎn)品描述

 硅碳棒的成分是碳化硅(SiC),主要成分為SiC94.4%,SiO,3.6%,其余為少量的鋁、鐵、氣化鈣等。熔點2227°C,使用溫度為 1400±50C。
  碳化硅有無定形和晶體兩種,對化學試劑是穩(wěn)定的。它不溶于一般熟知的酸溶液屮和它們的混合酸中。沸騰的鹽酸、氫氟酸、硫酸不會分解碳化硅。各種酸蒸氣對硅碳棒不起化學作用。
  氯在600°C時分解SiC的表面層,在900-1000。C時則進行下列反應(yīng):
  SiC+2Cl2=SiCl4+C
  在1100-1200C時形成四氯化硅和四氮化碳:
  SiC+4Cl2=SiCl4+CCl4
  SiC和水蒸汽在1300-1400C作用,但要到1775-1800。0才強列的作用:
  SiC+2H20=Si02+CH4
  因此必須隔絕水蒸汽的浸入。
  SiC在氧中,在1000。0以下不被氧化,在1350。0時顯著地氣化。在1350?1500。0之間形成Si02,而Si02在1700。0左右熔化。所生成的3102在熔化時覆蓋在SiC的上面,阻礙SiC再繼續(xù)氧化。
  在1750.C時,SiC按下列反應(yīng)強烈地進行氣化:
  在1750‘C時,SiC按下列反應(yīng)強烈地進行氧化,SiC + l+02=Si0+C0
  SiC+202=Si02+C02
SiC在1100-C, 1小時可氧化0.47%,而在1250C時為
1.82%。
硫磺蒸氣僅在髙丁HOOT時和SiC作用。
2000。(?以上,在Si02作用下,SiC分解并析出硅:
SiC+Si02=2Si-C0

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  • 登封市煜昊高溫元件有限公司
  • 經(jīng)營模式:制造商+服務(wù)商
  • 主營:硅碳棒,硅鉬棒,鉬頂頭,鎢鉬制品,硅碳棒加熱元件,硅碳棒規(guī)格
  • 地區(qū):河南 鄭州

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