廠家供應(yīng)井式氣相沉積爐
價(jià)格
電議 元/臺(tái)
- 單價(jià)：電議
- 最小起訂量： 1臺(tái)
- 所在地：北京 北京
- 供貨總量： 50臺(tái)
- 發(fā)布時(shí)間：2014-07-15
產(chǎn)品描述
※產(chǎn)品用途：
CNT生產(chǎn)的CVD（真空化學(xué)氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質(zhì)量TiC、SiC、SiO2、Si3N4 專(zhuān)用設(shè)備。淀積溫度能夠較高 (100～1800℃可調(diào) ) ，它已成為機(jī)械制造工業(yè)、冶金工業(yè)、光學(xué)工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。
※產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：
CNT公司CVD設(shè)備主要由全真空專(zhuān)用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統(tǒng)，電源，生長(zhǎng)機(jī)體載體及溫控系統(tǒng)，獨(dú)立排氣和生長(zhǎng)壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設(shè)備等組成。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設(shè)備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動(dòng)控制與工控機(jī)自控控制可選。實(shí)現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設(shè)備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、TiSi、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等。
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參數(shù)名稱(chēng)
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單
位
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型 號(hào)
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CVD418
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CVD818
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CVD1218
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CVD1618
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CVD2018
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額定功率
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KW
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21
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30
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45
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60
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75
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額定電壓
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V
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380
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380
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380
|
380
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380
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溫度
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℃
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1800
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1800
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1800
|
1800
|
1800
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工作溫度
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℃
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&le1700
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&le1700
|
&le1700
|
&le1700
|
&le1700
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真空度
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6.67pa
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6.67pa
|
6.67pa
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6.67pa
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6.67pa
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基片臺(tái)尺寸
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直徑
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4英寸
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8英寸
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12英寸
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16英寸
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20英寸
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基片臺(tái)轉(zhuǎn)速
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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保溫材料
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V
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
|
石墨
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加熱方式
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
|
石墨
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升溫速率
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℃min
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&le25
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&le25
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&le25
|
&le25
|
&le25
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控溫精度
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℃
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±1
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±1
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±1
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±1
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±1
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標(biāo)配
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1、 三路質(zhì)量流量計(jì) ，氮?dú)�、氫氣、甲烷、氬�?nbsp
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2、氣路報(bào)警系統(tǒng)(氫氣和甲烷)、超溫報(bào)警、缺水報(bào)警
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選配
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1、尾氣處理設(shè)備
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2、氣瓶及減壓閥
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3、冷卻系統(tǒng)
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